EVのパワー半導体を高出力化する第3世代SiCハイグレードエピウエハーを開発

レゾナックは、SiCエピタキシャルウエハーの第3世代ハイグレード品を開発した。新構造のエピタキシャル技術で電流密度が向上しており、高価格帯EVや鉄道向けパワー半導体の高出力化と省スペース化の両立に貢献する。